半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 良久 |
| 发表日期 | 2000-12-08 |
| 专利号 | JP2000340893A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型クラッド層のドーピング制御の安定化と実用的な信頼性とを両立した化合物半導体レーザ素子を製造する。 【解決手段】 n型クラッド層、n型電流ブロック層の少なくとも一方はIV族元素とVI族元素を同時に添加した層を用いる。 |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 申请日期 | 1999-05-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78928]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 良久. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2000340893A. 2000-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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