半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 我妻 新一; 内田 史朗 |
| 发表日期 | 2005-09-02 |
| 专利号 | JP2005235865A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 表面に凹凸を有する状態でエピタキシャル成長させる場合の屈折率のずれを補正することが可能である構成の半導体レーザを提供する。 【解決手段】 少なくともAl及びInを含む化合物半導体から成り、少なくともp型クラッド層8,6と、活性層4と、n型クラッド層2とが形成された半導体レーザ素子を有し、p型クラッド層8,6の少なくとも一部のAl組成がn型クラッド層2のAl組成と比較して多い構成とされているか、或いは、n型クラッド層の少なくとも一部のAl組成が前記p型クラッド層のAl組成と比較して少ない構成とされている半導体レーザを構成する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2005-09-02 |
| 申请日期 | 2004-02-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78933]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 我妻 新一,内田 史朗. 半導体レーザ. JP2005235865A. 2005-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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