半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 深野 秀樹; 横山 清行 |
| 发表日期 | 1997-03-28 |
| 专利号 | JP1997083059A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 スポットサイズの大きな光導波路に対し直接突き合わせにより低損失な光結合を可能とし、しかも低コストで歩留まり良く製造し得る半導体レーザを提供すること。 【解決手段】 電流注入によって発光する等幅のストライプ状の半導体活性層1と、該半導体活性層1を取り囲むように構成されたクラッド層2とを有し、前記クラッド層2の屈折率が半導体活性層1よりも小さい半導体レーザにおいて、活性層1内への光の閉じ込め係数Γを0.002〜0.05程度に設定することにより、レンズやスポットサイズ変換用の光結合デバイスを設けることなく、出射光のスポットサイズを、これと光結合する光導波路に対して低損失で結合するように拡大する。 |
| 公开日期 | 1997-03-28 |
| 申请日期 | 1995-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78934]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深野 秀樹,横山 清行. 半導体レーザ. JP1997083059A. 1997-03-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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