半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 門脇 朋子 |
| 发表日期 | 2004-05-13 |
| 专利号 | JP2004140141A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】高歩留まりで、かつ温度特性に優れたリッジ導波型半導体レーザを再現性良く製造できるレーザ構造を提供する 【解決手段】第1の材料を含む第1のクラッド層と、活性層と、第1の材料を含む第2のクラッド層と、第1の材料とは異なる第2の材料を含む、リッジ構造の第3のクラッド層とが順に積層されたリッジ導波型の半導体レーザを提供する。この半導体レーザは、半導体レーザチップのチップ分離位置において、第3のクラッド層側から積層された方向に沿って形成された溝が、第2のクラッド層に到達している。また、活性層と、活性層を挟む第1のクラッド層および第2のクラッド層と、第2のクラッド層に積層された、リッジ構造の第3のクラッド層と、第3のクラッド層と電気的に接続された電極とを備えたリッジ導波型の半導体レーザも提供する。このレーザの電極は、リッジ脇の溝の表面から離れた状態で上方を覆っている。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-05-13 |
| 申请日期 | 2002-10-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78961]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 門脇 朋子. 半導体レーザ. JP2004140141A. 2004-05-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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