半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 上山 智; 鈴木 政勝; 上野山 雄 |
| 发表日期 | 1996-07-12 |
| 专利号 | JP1996181386A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 高効率な短波長半導体光素子を実現する。 【構成】 GaAs基板1上に例えばアンモニア雰囲気中で高温でアニールすることにより表面窒化層2を作製する。その後、有機金属気相成長法によりn-Al0.2Ga0.8N第1クラッド層3、GaN/Al0.2Ga0.8N多重量子井戸活性層4、p-Al0.2Ga0.8N第2クラッド層5、p-GaNコンタクト層6を連続的に形成する。続いてSiO2絶縁膜7を堆積して電流注入のためのストライプ状の開口をエッチングにより形成する。最後にアノード電極8、カソード電極9を形成する。この半導体レーザのGaAs基板1からGaNコンタクト層6まではすべて閃亜鉛鉱型結晶により構成されている。 【効果】 閃亜鉛鉱型GaN系材料では量子効果や2軸性歪等を制御することによりホールの状態密度を大きく低減させることが可能となり、発光素子の効率を格段に向上させることができる。 |
| 公开日期 | 1996-07-12 |
| 申请日期 | 1994-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78970]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上山 智,鈴木 政勝,上野山 雄. 半導体光素子. JP1996181386A. 1996-07-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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