光半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | パーマー ジョイス エレン; 橋本 明弘; 田村 誠男 |
| 发表日期 | 1994-04-22 |
| 专利号 | JP1994112468A |
| 著作权人 | 光技術研究開発株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電気的特性の劣化や結晶欠陥による影響の少い能動領域を有する光半導体素子およびその製造方法を提供する。 【構成】 基板10上に第1のエピタキシャル層20を成長させ、第2の工程において、この第1のエピタキシャル層20の一部を除去して穴部21を形成する。次に、穴部21から第1のエピタキシャル層20の下部まで基板10をエッチングして、第1のエピタキシャル層20のうち穴部21の周囲に、基板10と接触しない非接触領域22を形成し、この非接触領域22上に、第2のエピタキシャル層30を成長させ、能動領域を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-04-22 |
| 申请日期 | 1992-09-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78989]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光技術研究開発株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | パーマー ジョイス エレン,橋本 明弘,田村 誠男. 光半導体素子およびその製造方法. JP1994112468A. 1994-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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