半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 小林 康之; 西田 敏夫; 前田 就彦; 小林 直樹 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223788A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 6H-SiC基板上に形成されるにIII族窒化物エピタキシャル成長層にクラックが入りにくく、また、平坦であって伝導性の高いバッファ層を形成でき、高品質なIII族窒化物エピタキシャル成長層を備えた半導体素子を提供する。 【解決手段】 6H-SiC基板上に形成されたIII族窒素物半導体素子において、6H-SiC基板上にボロンを必ず含むB1-X-YAlXGaYN層(0≦X+Y<1、かつ、0≦X<1、かつ、0≦Y<1)をバッファ層として用いる構成とし、平坦で伝導性の高いバッファ層を形成でき、また、その上に形成されるIII族窒化物エピタキシャル成長層にクラックが入りにくく、高品質なものとした。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-02-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78996]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 康之,西田 敏夫,前田 就彦,等. 半導体素子. JP2000223788A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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