半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 堀江 秀善; 太田 弘貴; 藤森 俊成 |
| 发表日期 | 1998-08-21 |
| 专利号 | JP1998223979A |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力、長寿命で、無効電流によるロス等の問題のない半導体レーザを工業的有利に提供する。 【解決手段】 半導体基板上に第一導電型クラッド層、活性層および第二導電型クラッド層を有する半導体レーザにおいて、共振器を形成する少なくとも一つの端面近傍であって、活性層の端部に窒化された領域を有することを特徴とする半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 1998-08-21 |
| 申请日期 | 1997-12-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79006]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堀江 秀善,太田 弘貴,藤森 俊成. 半導体レーザ. JP1998223979A. 1998-08-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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