半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 大川 和宏; 三露 常男 |
| 发表日期 | 1994-11-08 |
| 专利号 | JP1994314856A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明はII-VI族半導体より構成される半導体レーザを屈折率導波構造にすることによって、低閾電流で動作するレーザを提供することを目的としている。 【構成】 p型GaAs基板上にn型GaAs電流ブロック層4を有し、凹形形状部20の上に形成されたII-VI族半導体から構成される活性層7を屈曲させるものである。 |
| 公开日期 | 1994-11-08 |
| 申请日期 | 1993-04-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79015]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大川 和宏,三露 常男. 半導体レーザ. JP1994314856A. 1994-11-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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