半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 典雄; 伊地知 哲朗 |
| 发表日期 | 1996-01-19 |
| 专利号 | JP1996018155A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 歪量子井戸層を活性層とする半導体レーザ装置において、しきい値電流を低くし、寿命を延長することを目的とする。 【構成】 歪量子井戸層を活性層とする半導体レーザ装置において、レーザ放出方向に直交する端面に、基板に格子整合して、半導体層が形成されている半導体レーザ装置である。 |
| 公开日期 | 1996-01-19 |
| 申请日期 | 1994-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79017]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄,伊地知 哲朗. 半導体レーザ装置. JP1996018155A. 1996-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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