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半導体レーザ

文献类型:专利

作者小林 隆二
发表日期2007-03-29
专利号JP2007080934A
著作权人NEC CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ
英文摘要【課題】レーザ特性と信頼性、コスト性に優れた少なくともGaN系青紫色レーザとAlGaInP系赤色レーザを集積した集積型半導体レーザを提供する。 【解決手段】赤色半導体レーザの導波路にマルチモード干渉型導波路を採用し、GaN系青紫色レーザをヒートシンクとしてその上に該赤色半導体レーザを集積した。その結果、より短い共振器長でも導波路面積を十分確保でき、従来と同等かそれ以上の高出力特性のを集積型半導体レーザを実現できる。 【選択図】図1
公开日期2007-03-29
申请日期2005-09-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79038]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NEC CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
小林 隆二. 半導体レーザ. JP2007080934A. 2007-03-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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