半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 小林 隆二 |
| 发表日期 | 2007-03-29 |
| 专利号 | JP2007080934A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ特性と信頼性、コスト性に優れた少なくともGaN系青紫色レーザとAlGaInP系赤色レーザを集積した集積型半導体レーザを提供する。 【解決手段】赤色半導体レーザの導波路にマルチモード干渉型導波路を採用し、GaN系青紫色レーザをヒートシンクとしてその上に該赤色半導体レーザを集積した。その結果、より短い共振器長でも導波路面積を十分確保でき、従来と同等かそれ以上の高出力特性のを集積型半導体レーザを実現できる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2007-03-29 |
| 申请日期 | 2005-09-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79038]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 隆二. 半導体レーザ. JP2007080934A. 2007-03-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。