半導体発光装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 陽祐 |
| 发表日期 | 1994-08-19 |
| 专利号 | JP1994232493A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 駆動電流の注入により一定波長の光を出射する発光領域を有する断面略台形形状のリッジ部10aを有する半導体発光装置101において、n電極12と上記リッジ部10aの上クラッド層6との接触面積を極力大きくして、素子特性の劣化の原因のひとつである電極部分の接触抵抗を低減する。 【構成】 上記発光領域を有するリッジ部10a上全面に、そのリッジ頂部10a1 上にこれと同一の平面形状の開口部20aを有する絶縁膜11を形成し、上記絶縁膜11上に形成された電極12とリッジ部10aの上クラッド層6とのコンタクトを、該絶縁膜11の開口部20aを介してとるようにした。 |
| 公开日期 | 1994-08-19 |
| 申请日期 | 1993-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79043]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 陽祐. 半導体発光装置及びその製造方法. JP1994232493A. 1994-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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