半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 池谷 晃; 伊地知 哲朗; 菊田 俊夫 |
| 发表日期 | 1994-12-22 |
| 专利号 | JP1994350193A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 安定した温度特性と低しきい値電流を有する半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 GaAs基板37上にInGaPクラッド層33、光閉じ込め層34、量子井戸構造からなる活性層31、光閉じ込め層35、InGaPクラッド層32を順次積層した半導体レーザ素子において、光閉じ込め層34、35をIn1 -xGax Asy P1-y (ただし、0.52≦x≦0、0≦y≦0)により構成し、光閉じ込め層34、35のエネルギーバンドギャップを、活性層31側から層厚方向に連続的に拡大するようにする。 |
| 公开日期 | 1994-12-22 |
| 申请日期 | 1993-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79061]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池谷 晃,伊地知 哲朗,菊田 俊夫. 半導体レーザ素子. JP1994350193A. 1994-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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