半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 修; 中村 幸治; 中島 徹人; 堀川 英明 |
| 发表日期 | 1996-11-01 |
| 专利号 | JP1996288589A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 上側クラッド層およびコンタクト層中に転位が少なく、かつ電流ブロック層中にV字形の溝が生じない半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 第1および第2副電流ブロック層28および30を、基板温度を750〜800℃の範囲とし、およびV族ガスのホスフィン(PH3)ガスとIII族ガスのトリメチルインジウム(TMIn)およびトリメチルガリウム(TMGa)との混合比(V族/III族)を400〜800の範囲として形成する。 |
| 公开日期 | 1996-11-01 |
| 申请日期 | 1995-04-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79064]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 修,中村 幸治,中島 徹人,等. 半導体レーザの製造方法. JP1996288589A. 1996-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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