半導体装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 平谷 雄二 |
| 发表日期 | 1998-10-27 |
| 专利号 | JP1998290051A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体から成り、表面モルホロジーが優れている半導体装置とその製造方法を提供する。 【解決手段】 この半導体装置は、基板1と窒化物系III-V族化合物半導体から成る少なくとも1層のエピタキシャル成長層3との間に、厚みが5〜100nmで、かつ炭素濃度が1018〜1020cm-3の窒化物系III-V族化合物半導体の緩衝層2が形成されており、この緩衝層は、まず最初に、前記基板の表面にIII族元素の単体を供給し、ついで、前記III族元素の単体と一緒にジメチルヒドラジンやモノメチルヒドラジンのような炭素および窒素を構成元素とする化合物を供給することによって形成される。 |
| 公开日期 | 1998-10-27 |
| 申请日期 | 1997-04-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79069]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平谷 雄二. 半導体装置とその製造方法. JP1998290051A. 1998-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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