半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大場 康夫; 波多野 吾紅 |
| 发表日期 | 2005-07-08 |
| 专利号 | JP3697304B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型ドープ層が所望の抵抗値を有するとともに、優れた性能を有するIII-V族化合物半導体を主成分とする半導体レーザーを提供する。 【解決手段】 基板、前記基板上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする下部クラッド層、下部クラッド層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする活性層、及び活性層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする上部p型クラッド層を有する発振波長450nm以下の半導体レーザーである。前記上部p型クラッド層中に、MgとSiとが含有されていることを特徴とする。前記 III-V族化合物半導体としては、GaN系化合物半導体が好ましく、上部クラッド層中のSiの含有量は、好ましくは5×1018/cm3以上である。 |
| 公开日期 | 2005-09-21 |
| 申请日期 | 1995-12-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79070]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大場 康夫,波多野 吾紅. 半導体レーザ及びその製造方法. JP3697304B2. 2005-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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