半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 波多野 吾紅; 泉谷 敏英; 大場 康夫 |
| 发表日期 | 2001-01-26 |
| 专利号 | JP3152901B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 新しいIII-V族系の化合物半導体材料を用いた短波長の半導体レーザを実現する。 【解決手段】 pn接合を有する半導体レーザにおいて、n型GaP基板11上に、超格子構造の発光層15をGaAlN系材料からなるp型及びn型のクラッド層14,16で挟んだダブルへテロ構造部が形成され、このダブルヘテロ構造部のp型クラッド層16上にウルツ鉱型結晶構造を有する電流阻止層91が形成されている。 |
| 公开日期 | 2001-04-03 |
| 申请日期 | 1989-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79083]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 波多野 吾紅,泉谷 敏英,大場 康夫. 半導体レーザ. JP3152901B2. 2001-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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