半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 瀧口 透; 後藤 勝彦 |
| 发表日期 | 1995-07-04 |
| 专利号 | JP1995170022A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 発光効率が高く,変調帯幅が広い半導体レーザ装置を得る。 【構成】 多重量子井戸半導体レーザ装置において、バリア層13のエネルギーギャップを、MQWの中央で一番大きく、MQWの両端に向かって順次小さくなるものとする。また、バリア層13の厚さは、MQW中央で一番厚く、MQWの両端に向かって順次薄くなるものとする。また、バリア層13を基板よりその格子定数を小さくしてバリア層に引張り歪を加え、そのエネルギーギャップがMQW中央で一番大きく、MQWの両端に向かって順次小さくなるものとする。また、バリア層13に引張り歪を加え、その厚さを、MQW中央で一番厚く、MQWの両端に向かって順次薄くなるものとする。また、バリア層の引張り歪量を、MQW中央で一番小さく、MQWの両端に向かって順次大きくなるものとする。 |
| 公开日期 | 1995-07-04 |
| 申请日期 | 1993-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79129]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀧口 透,後藤 勝彦. 半導体レーザ装置. JP1995170022A. 1995-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。