半導体発光装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 浜口 雄一 |
| 发表日期 | 1998-09-11 |
| 专利号 | JP1998242557A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 共振器端面の形成を、エッチングによって形成するようにした量産化方法を採り、しかもすぐれた共振器端面を形成することができるようする。 【解決手段】 光共振器を有する半導体発光装置の製造方法において、複数の半導体発光装置を構成する半導体層を有する半導体基板6を構成する工程と、この半導体基板6の半導体層表面から、最終的に得る半導体発光装置の上記共振器の共振器端面の構成面を側面とするストライプ状溝10を形成する溝加工工程と、この溝の側面に半導体被膜11をエピタキシャル成長する工程とを有し、溝10は、その側面が、主としてエピタキシャル成長速度が低い特定結晶面となる方向に選定してエピタキシャル成長による半導体被膜11が上記特定結晶面による表面性にすぐれた半導体被膜11として成膜されるようにする。 |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 申请日期 | 1997-02-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79146]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浜口 雄一. 半導体発光装置の製造方法. JP1998242557A. 1998-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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