半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 石井 宏明 |
| 发表日期 | 1994-04-28 |
| 专利号 | JP1994120618A |
| 著作权人 | 日本航空電子工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 1回の結晶成長で製作することを可能とする。 【構成】 n-GaAs基板20の一面中央部に断面三角形状の突条21をエッチングにより全長にわたって形成する。その突条21の形成面にp-GaAsの電流ブロック層22を突条21の頂上付近まで成長形成し、更に続けて、n-GaAlAsの第1クラッド層23、GaAsの発光層24、p-GaAlAsの第2クラッド層25、p+ -GaAsのコンタクト層26を順次成長形成する。コンタクト層26上に電極27、基板20の底面に電極28を形成する。電流の流れはブロック層22により突条21の頂部に狭さくされ、突条21にもとづく発光層24の折れ曲りにより光が閉じ込められる。 |
| 公开日期 | 1994-04-28 |
| 申请日期 | 1992-10-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79150]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本航空電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石井 宏明. 半導体発光素子. JP1994120618A. 1994-04-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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