半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 塩澤 秀夫 |
| 发表日期 | 1997-10-03 |
| 专利号 | JP1997260773A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】自励発振が容易に起こり、低雑音で量産に適した構造の半導体レーザ装置及び歩留まりがよいその製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】この発明は、n型GaAs基板と、その上のn型In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5Pクラッド層3、その上のInGaP活性層4、その上のp型In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5Pクラッド層5a、その上のp型InGaPエッチングストップ層16、その上のリッジ状のp型In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P第1導波層17及びその上のp型InGaPキャップ層6、第1導波層17及びキャップ層6の側面のn型In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5Pの第2導波層18、さらにその側面及びエッチングストップ層16の上のn型GaAs電流狭窄層19を備えている。 |
| 公开日期 | 1997-10-03 |
| 申请日期 | 1996-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79158]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 塩澤 秀夫. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1997260773A. 1997-10-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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