半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 大保 広樹; 畑 雅幸; 別所 靖之; 久納 康光 |
| 发表日期 | 2010-03-18 |
| 专利号 | JP2010062245A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体レーザ素子部への熱的および機械的な影響が大きくなるのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】この半導体レーザ装置100は、n型GaN基板11およびn型クラッド層12と、活性層13と、p型クラッド層14とが順に形成された青紫色半導体レーザ素子部10と、青紫色半導体レーザ素子部10の上面に接合され、青紫色半導体レーザ素子部10側からp型クラッド層21および31と、活性層22および32と、n型クラッド層23および33とが順に積層する赤色半導体レーザ素子部20および赤外半導体レーザ素子部30と、n型GaN基板11およびn型クラッド層12側とn型クラッド層23および33とを上面側から電気的に接続する導電膜5および9と導電材17aおよび17bとコンタクト電極層17cおよび17dとを備える。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-03-18 |
| 申请日期 | 2008-09-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79165]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大保 広樹,畑 雅幸,別所 靖之,等. 半導体レーザ装置. JP2010062245A. 2010-03-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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