半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤本 毅; 内藤 由美; 大久保 敦; 山田 義和 |
| 发表日期 | 1999-06-08 |
| 专利号 | JP1999154775A |
| 著作权人 | MITSUI CHEM INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流ブロック層の窓を精度良く形成でき、他層への影響を回避して製造歩留まりの向上が図れる半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 活性層25の両面側に、活性層25の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対の光導波層23、28を設け、活性層25および光導波層23、28を挟むように、光導波層23、28の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のクラッド層22、29をそれぞれ設け、活性層25と光導波層23、28との間に、活性層25および該光導波層23、28の各禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する一対のキャリアブロック層24、26をそれぞれ設け、光導波層23、28の少なくとも一方にストライプ状の窓を有する電流ブロック層27を埋め込んだ自己整合型半導体レーザにおいて、電流ブロック層27を選択成長によって形成する。 |
| 公开日期 | 1999-06-08 |
| 申请日期 | 1998-09-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79185]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUI CHEM INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤本 毅,内藤 由美,大久保 敦,等. 半導体レーザの製造方法. JP1999154775A. 1999-06-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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