半導体レーザの製法
文献类型：专利
| 作者 | 市原 淳 |
| 发表日期 | 1997-11-18 |
| 专利号 | JP1997298339A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製法 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板を厚くして製造工程における取扱を容易にすると共に、劈開時の問題や、光ディスクなどの用途における戻り光の問題も生じない半導体レーザの製法を提供する。 【解決手段】 基板(GaAs基板11)の表面に発光層15を構成する半導体層をエピタキシャル成長し、前記基板上に半導体層が成長されたウェハ1を切断分離して端面に発光面を有するレーザチップを形成する半導体レーザの製法であって、前記発光面を有する面における前記ウェハの切断分離を前記基板に加工溝4を設けた後に劈開により行う。 |
| 公开日期 | 1997-11-18 |
| 申请日期 | 1996-04-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79187]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 市原 淳. 半導体レーザの製法. JP1997298339A. 1997-11-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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