光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤 憲史; 脇田 紘一; 山本 ▲みつ▼夫 |
| 发表日期 | 1993-12-17 |
| 专利号 | JP1993335551A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザと電界型光変調器との集積化を容易に行なうことができ、変調器の駆動電圧を低下させることにより高速動作可能とした光半導体装置を提供する。 【構成】 半導体基板上にエネルギー準位の異なる2種類の多重量子井戸を積層し、その半導体レーザとなる領域では両者の多重量子井戸を存在させ、その光変調器の領域ではエネルギー準位の小さい方の多重量子井戸を除去し、歪超格子よりなる多重量子井戸で構成した。 |
| 公开日期 | 1993-12-17 |
| 申请日期 | 1992-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79190]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤 憲史,脇田 紘一,山本 ▲みつ▼夫. 光半導体装置. JP1993335551A. 1993-12-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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