半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 日野 智公; 谷口 理; 木下 優子; 奥山 浩之; 中野 一志; 岡本 桜子; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 1997-11-11 |
| 专利号 | JP1997293937A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 通電時の動作電圧の増加または活性層の劣化を防止し、長寿命のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 活性層7とp型ZnSe/ZnTeMQW層13との間の部分、例えばp型ZnSSeキャップ層10とp型ZnSeコンタクト層12との界面にII-VI族化合物半導体からなる電子阻止層、例えばp型Zn1-x Mgx Se電子阻止層11を挿入する。あるいは、活性層7とp型ZnMgSSeクラッド層9との間の部分またはp型ZnMgSSeクラッド層9中にZn1-x Mgx Sy Se1-y 電子阻止層を挿入し、活性層7とn型ZnMgSSeクラッド層との間の部分またはn型ZnMgSSeクラッド層中にZn1-x Mgx Sy Se1-y 正孔阻止層を挿入する。 |
| 公开日期 | 1997-11-11 |
| 申请日期 | 1997-02-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79224]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 日野 智公,谷口 理,木下 優子,等. 半導体発光素子. JP1997293937A. 1997-11-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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