半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 寺田 敏行; 鈴木 哲哉; 藤田 恭久; 藤井 智 |
| 发表日期 | 1996-08-30 |
| 专利号 | JP1996222584A |
| 著作权人 | 新日本製鐵株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるp型層と電極間のオーム性接触が容易に得られる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 II-VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるp型層をエピタキシャル結晶成長法により第1の基板温度にて基板上に形成し、次にVI族元素であるS(硫黄)、Se(セレン)、或いはTe(テルル)の非晶質層をエピタキシャル結晶成長法により第1の基板温度よりも低い第2の基板温度にてp型層上に形成した後、別の容器内の真空または不活性ガス雰囲気中で第1の基板温度よりも低い第3の基板温度にて熱処理してp型層上の非晶質層のみを蒸発させ、更に非晶質層が蒸発したp型層上に有機金属化学気相成長法によりp型オーミック層を形成し、このp型オーミック層上に電極層を形成するものとする。これにより、p型層上の酸化絶縁層が略完全に除去されるので、p型層と電極層間の界面残留電位障壁が小さくなる。従って、単純な構成で容易にp型層と電極層との間でオーム性接触が得られる。 |
| 公开日期 | 1996-08-30 |
| 申请日期 | 1995-02-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79228]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新日本製鐵株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺田 敏行,鈴木 哲哉,藤田 恭久,等. 半導体装置の製造方法. JP1996222584A. 1996-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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