窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 上村 俊也 |
| 发表日期 | 1999-05-11 |
| 专利号 | JP1999126925A |
| 著作权人 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】電極側からの光取り出し量を向上させること。 【解決手段】基板11上に,AlNから成るバッファ層12,SiドープのGaNから成る高キャリア濃度n+層13,Siドープのn型GaN から成るクラッド層14,GaNから成るバリア層151とGa0.8In0.2Nから成る井戸層152が交互に積層されたMQWの発光層15,p型Al0.15Ga0.85Nから成るクラッド層16,p型GaNから成るコンタクト層17が順次形成されている。コンタクト層17上には金属蒸着による透光性の電極18Aが,n+層13上には電極18Bが形成され, 電極18A上の一部に電極パッド20が形成されている。基板11の下面には,膜厚125nmのSiO2から成る第1反射膜191と,膜厚125nmのTiO2から成る第2反射膜192とが交互に10周期積層された反射膜19が形成されている。発光層15による発光の波長領域は,反射膜19による90%以上の反射率の領域内にあるので,反射膜19により効果的に光が反射され,発光強度を高めることができる。 |
| 公开日期 | 1999-05-11 |
| 申请日期 | 1997-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79236]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOYODA GOSEI CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上村 俊也. 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子. JP1999126925A. 1999-05-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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