半導体光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 百瀬 正之; 田中 俊明; 比留間 健之 |
| 发表日期 | 1999-05-21 |
| 专利号 | JP1999135875A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ素子の共振器端面における活性層の禁制帯幅を制御性,再現性良く増大させる方法を提供する。 【解決手段】半導体レーザ素子の共振器端面に拡散させる不純物を含む材料の薄膜を形成した後、熱処理を行い、その後その薄膜を除去する。 |
| 公开日期 | 1999-05-21 |
| 申请日期 | 1997-10-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79238]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 百瀬 正之,田中 俊明,比留間 健之. 半導体光素子の製造方法. JP1999135875A. 1999-05-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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