半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 内田 史朗; 二木 誠 |
| 发表日期 | 1995-02-07 |
| 专利号 | JP1995038193A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 短波長発光と共に高出力化をはかることのできる半導体レーザを提供するものである。 【構成】 活性層13に隣接するクラッド層の少なくとも放熱体側クラッド層14が、活性層13に接する側に活性層13に対するキャリアの閉じ込め効果を呈する範囲で小なる厚さを有し、活性層13に比し大なるエネルギーバンドギャップ幅を有するAlGaInP層よりなる第1のクラッド層14Aと、これに比し熱伝導度が高く上記活性層に比し屈折率が小さく主として光の閉じ込め機能を有するAlGaAs層よりなる第2のクラッド層14Bとを有する半導体レーザにおいて、第2のクラッド層14Bの上記第1のクラッド層14A側に高屈折率ガイド層14B0 を有する構成とする。 |
| 公开日期 | 1995-02-07 |
| 申请日期 | 1993-07-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79255]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 史朗,二木 誠. 半導体レーザ. JP1995038193A. 1995-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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