半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鹿嶋 孝之; 牧田 幸治; 足立 秀人 |
| 发表日期 | 2006-04-06 |
| 专利号 | JP2006093391A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】簡便な構成で低アスペクト比のレーザ光が得られる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】本発明のレーザ装置は、n型GaAs基板101の上にn型バッファ層102、n型クラッド層103、GaInP系材料の活性層104、p型第1クラッド層105、p型エッチングストップ層106、リッジ状に加工されたp型第2クラッド層107が順次形成され、さらに、p型第2クラッド層107の側面を覆うようにn型電流ブロック層108が形成され、p型コンタクト層109がその上に形成されている。電流非注入領域となる共振器端面近傍には、Znを拡散させた窓構造の領域110を有し、さらに同じ領域のリッジ斜面または上部では、n型電流ブロック層108およびp型コンタクト層109が除去されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-04-06 |
| 申请日期 | 2004-09-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79264]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鹿嶋 孝之,牧田 幸治,足立 秀人. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2006093391A. 2006-04-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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