半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 比留間 健之; 中塚 慎一; 田中 俊明; 濱田 博 |
| 发表日期 | 1998-12-18 |
| 专利号 | JP1998335745A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】半導体発光素子の室温以上における動作特性を改善させる。また、素子製作工程における寸法制御を容易にする。 【解決手段】pn接合を有する半導体多層膜からなる発光素子において、p型半導体領域の内部にカーボンをドープしてp型の伝導型にしたAlP/InPヘテロ接合、または、GaP/InPヘテロ接合、ないしは、AlGaAs/AlInGaPヘテロ接合を含む。 |
| 公开日期 | 1998-12-18 |
| 申请日期 | 1997-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79304]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 比留間 健之,中塚 慎一,田中 俊明,等. 半導体装置およびその製造方法. JP1998335745A. 1998-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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