半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 鴫原 君男; 川崎 和重 |
| 发表日期 | 2005-03-17 |
| 专利号 | JP2005072488A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 前端面が低反射率であるとともに、温度変化による発振波長変化の小さい半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 少なくとも活性層と、クラッド層と、光を出射する端面とを有する半導体レーザ装置において、その端面には、波長によって反射率が変化する低反射膜が設けられていて、この低反射膜の反射率が極小となる波長は半導体レーザ装置の利得が最大となる波長より長波長側にあり、低反射膜の反射率が波長の増加に伴って減少する領域でのみ半導体レーザ装置の利得と損失が等しくなることを特徴とする。半導体レーザ装置の利得が最大となる波長における低反射膜の反射率は1%以下であることが好ましい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2005-03-17 |
| 申请日期 | 2003-08-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79306]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鴫原 君男,川崎 和重. 半導体レーザ装置. JP2005072488A. 2005-03-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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