半導体量子井戸箱の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 永田 久雄; 駒場 信幸 |
| 发表日期 | 1993-03-12 |
| 专利号 | JP1993063305A |
| 著作权人 | HIKARI GIJUTSU KENKYU KAIHATSU KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体量子井戸箱の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 結晶面に依存性がなく、結晶にダメージのない半導体量子井戸箱の製造方法を提供する。 【構成】 気相成長法による結晶成長の初期過程を利用して、2族または3族の溶融金属に濡れ性の悪い基板10上に、その溶融金属の微細な液滴を形成し、その後夫々4族または5族の原子を含む原料を供給して、前記液滴にその原子を拡散して半導体微結晶を形成する半導体量子井戸箱の製造方法。 |
| 公开日期 | 1993-03-12 |
| 申请日期 | 1991-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79328]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HIKARI GIJUTSU KENKYU KAIHATSU KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 永田 久雄,駒場 信幸. 半導体量子井戸箱の製造方法. JP1993063305A. 1993-03-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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