半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 栗林 均; 国原 健二 |
| 发表日期 | 1995-02-21 |
| 专利号 | JP1995050446A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】ウエットエッチングを行なうことなく電流流路を形成し、再成長層の結晶性を改善して良特性の半導体レーザ素子を得る。 【構成】GaAs半導体基板上にバッファ層,第一クラッド層,活性層,第二クラッド層,または第二クラッド層上にキャップ層を付加してこの順に積層した後、電流流路に相当する領域を残して電流阻止層を形成し、さらに第三クラッド層,コンタクト層を順次形成することにより、メサ部なしで電流流路が得られる。したがって、メサ部を形成するためのウエットエッチングを行なわないので加工精度が高く、しかも第三クラッド層を結晶性よく再成長させるので、得られた半導体レーザ素子は、光学特性のばらつきが少なく、発振しきい値電流が低く微分効率が向上し、素子特性の再現性もよい。 |
| 公开日期 | 1995-02-21 |
| 申请日期 | 1993-11-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79346]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗林 均,国原 健二. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1995050446A. 1995-02-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。