半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 中村 厚 |
| 发表日期 | 2009-10-08 |
| 专利号 | JP2009231647A |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】メサストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の高出力化を推進する。 【解決手段】半導体レーザ素子は、素子1個当たり3本のメサストライプ部を有している。真ん中に配置された主メサストライプ部(MS1)は、発振波長よりも広い幅を有してり、その両側に配置された2本の副メサストライプ部(MS2)は、発振波長よりも狭い幅を有している。また、主メサストライプ部(MS1)と副メサストライプ部(MS2)の間隔は、発振波長よりも狭くなっている。発振波長よりも狭い幅の副メサストライプ部(MS2)は、横モードカットオフへの影響がほとんど無いので、キンクレベルの低下もほとんど無い。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2009-10-08 |
| 申请日期 | 2008-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79372]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 厚. 半導体レーザ素子. JP2009231647A. 2009-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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