半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 天明 二郎; 福田 光男 |
| 发表日期 | 1994-12-06 |
| 专利号 | JP1994338656A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 結晶内の転位に起因する突然劣化を防止し、0.86〜07μm帯、特に0.98μm帯で発振し、高出力時で特性劣化のない高性能半導体レーザを提供することを目的とする。 【構成】 単一或いは多重のInyGa1-yAs量子井戸層からなる活性層(6)とAlxGa1-xAsからなる上下クラッド層(3,9)並びにGaAsコンタクト層(10)、GaAsバッファ層(2)等で構成されたレーザエピタキシャル成長膜において、基板(1)及び全層(2,3,6,9,10)に、少なくとも前記GaAsコンタクト層(10)、また、上部クラッド層ないし下部クラッド層(3,9)並びにGaAsバッファ層(2)等にInが2×1019〜3×1020cm-3の濃度範囲でドープされたものである。 |
| 公开日期 | 1994-12-06 |
| 申请日期 | 1993-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79378]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 天明 二郎,福田 光男. 半導体レーザ. JP1994338656A. 1994-12-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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