半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 山本 知生; 幸前 篤郎 |
| 发表日期 | 1998-07-31 |
| 专利号 | JP1998200189A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 素子特性を劣化させることなく、酸化されやすいAlが含まれた化合物半導体を用いた半導体光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 活性層103上には、Alを含まないInGaAsPからなる組成波長1μmで膜厚100nmの上部ガイド層104が配置された状態とする。 |
| 公开日期 | 1998-07-31 |
| 申请日期 | 1997-01-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79386]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 知生,幸前 篤郎. 半導体光素子. JP1998200189A. 1998-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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