半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 樋江井 太 |
| 发表日期 | 1997-12-22 |
| 专利号 | JP1997331101A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 価電子帯頂の不連続を低減することにより良好な電流-電圧特性を得ることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 p型のGaAsよりなる基板1の上に緩衝層2およびII-VI族不連続緩和層3を介してII-VI族化合物半導体よりなるバッファ層4,クラッド層5,9,ガイド層6,8,活性層7を形成する。緩衝層2はZnTeにより形成する。II-VI族不連続緩和層3はZnSTe混晶により形成する。バッファ層4はZnSeにより形成する。II-VI族不連続緩和層3におけるSとTeの組成比は基板1側からバッファ層4側に向かって滑らかに変化し、基板1とバッファ層4との間の価電子帯頂の不連続が緩和される。 |
| 公开日期 | 1997-12-22 |
| 申请日期 | 1996-06-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79390]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樋江井 太. 半導体発光素子. JP1997331101A. 1997-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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