半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 野口 悦男; 池田 睦夫; 近藤 進 |
| 发表日期 | 1996-09-27 |
| 专利号 | JP1996250806A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 有機金属熱分解気相成長法(MOVPE)成長装置により製作する、光通信用、及び光計測用光源として有用な、埋め込み型の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。 【構成】 活性層9の上下及び両側面を該活性層9よりもバンドギャップエネルギが大きく屈折率の小さいInGaAsPガイド層10,11で形成され、電流通路となる上下方向を第二及び第一の導電形のn型InP層2及びp型InP層12の化合物半導体で挟んだマストランスポート形の半導体発光素子において、上記活性層9を含む活性領域のメサ構造体の両側面に、第二及び第一の導電形の化合物半導体層14、15及びこの半導体層と活性層との中間のバンドギャップを有し、電流の再結合層として動作する化合物半導体層16からなる電流狭窄層が形成されてなり、更に、全面に第二導電形の化合物半導体層17が形成されてなる。 |
| 公开日期 | 1996-09-27 |
| 申请日期 | 1995-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79411]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野口 悦男,池田 睦夫,近藤 進. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1996250806A. 1996-09-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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