半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 伊地知 哲朗; 入川 理徳; ランジット エス マンド; ジミー スー |
| 发表日期 | 1995-01-31 |
| 专利号 | JP1995030199A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 安定した横モードを得ることのできる半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 リッジ型半導体レーザ素子においてレーザ動作時に基本横モードを発振させるために、厚さ(d)=0.25〜0.50μmの上部クラッド層15が活性層13の上部に残されており、底部幅(W)=2.0〜3.5μmのリブ型クラッド層16が活性層13の発光領域と対応して上部クラッド層15の上面より突出している。 【効果】 dおよびWが上記の範囲内にあるので、安定した横モードを得ることができる。 |
| 公开日期 | 1995-01-31 |
| 申请日期 | 1993-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79418]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊地知 哲朗,入川 理徳,ランジット エス マンド,等. 半導体レーザ素子. JP1995030199A. 1995-01-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。