半導体発光装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大坪 孝二 |
| 发表日期 | 1993-07-23 |
| 专利号 | JP1993183229A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体発光装置及びその製造方法に関し、ダブル·インジェクションに依る電流のリークを抑止して高い光出力を得ようとする。 【構成】 一導電型InP基板1上にストライプのメサ状をなす反対導電型InGaAsP活性層3を積層形成し、その上にストライプのメサ状をなす反対導電型InPクラッド層5と反対導電型InPコンタクト層6を積層形成し、その反対導電型InPクラッド層5と反対導電型InPコンタクト層6の側面を覆う一導電型InP分離層を形成し、メサ全体を埋め込むFe(又はTi)ドープInP高抵抗埋め込み層7を形成してある。 |
| 公开日期 | 1993-07-23 |
| 申请日期 | 1991-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79422]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大坪 孝二. 半導体発光装置及びその製造方法. JP1993183229A. 1993-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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