半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 大野 智輝 |
| 发表日期 | 2009-07-02 |
| 专利号 | JP2009146920A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】COD値の向上と、吸収損失の増大の抑制とを両立させることの可能な半導体レーザを提供する。 【解決手段】基板10上に、バッファ層11、下部クラッド層12、下部ガイド層13、活性層14、上部ガイド層15、上部クラッド層16A、ストップ層17、上部クラッド層16B、中間層18およびコンタクト層19を備える。上部クラッド層16B、中間層18およびコンタクト層19がリッジ部20を構成し、リッジ部20の両端に前端面S1,後端面S2を有する。前端面S1,後端面S2のうち少なくとも一方の端面およびその近傍に、活性層14の発光波長に相当するエネルギーよりも大きなバンドギャップを有する不純物拡散領域30を有し、少なくともリッジ部20の幅方向の両端部との対向領域に、リッジ部20の上面から少なくとも活性層14にまで達する峰31を有している。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2009-07-02 |
| 申请日期 | 2007-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79424]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野 智輝. 半導体レーザ. JP2009146920A. 2009-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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