窒化物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 坂本 恵司; 長濱 慎一; 中村 修二 |
| 发表日期 | 1999-07-21 |
| 专利号 | JP1999195840A |
| 著作权人 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 主としてレーザ素子の寿命を長くして信頼性の高いレーザ素子を得ることにあり、具体的には半導体素子の熱伝導性を向上させ、かつクラッド層の光閉じ込め効果を向上させることにより、発振閾値を低下させる。 【構成】 第1の主面と第2の主面とを有し、アンドープ若しくはn型不純物濃度が1×1017/cm3以下で、膜厚10μm以上の窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板の第1の主面上に、その窒化物半導体基板よりもn型不純物濃度が大きいn型窒化物半導体よりなるn側コンタクト層と、Alを含む窒化物半導体層を含む超格子構造よりなるn側クラッド層を有し、さらにそのn側クラッド層の上に、活性層と、p型窒化物半導体よりなるp側コンタクト層とを少なくとも有しており、前記n側コンタクト層と、前記p側コンタクト層とにはそれぞれ電極が設けられて、それらの電極が第1の主面側にある。 |
| 公开日期 | 1999-07-21 |
| 申请日期 | 1998-01-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79432]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NICHIA CHEM IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 坂本 恵司,長濱 慎一,中村 修二. 窒化物半導体発光素子. JP1999195840A. 1999-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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