半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 市川 弘之 |
| 发表日期 | 2006-10-26 |
| 专利号 | JP2006294640A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】逆方向静電破壊耐圧を向上できる構造の半導体光素子を提供する。 【解決手段】活性領域19では、量子井戸構造部45aは、第1の光閉じ込め層43aと第2の光閉じ込め層47aとの間に設けられている。n型光閉じ込め層41a、第1の光閉じ込め層43a、量子井戸構造部45a、第2の光閉じ込め層47aおよびp型光閉じ込め層49aは、半導体領域13の一端面13aおよび他端面13bの少なくともいずれか一方に現れている。活性領域19が、光閉じ込め層43a、47a並びに量子井戸構造部45aに総厚270nm以上の1×1016cm-3以下のキャリア濃度の領域を有する。 【選択図】図8 |
| 公开日期 | 2006-10-26 |
| 申请日期 | 2005-04-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79434]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 市川 弘之. 半導体光素子. JP2006294640A. 2006-10-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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