半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 沼居 貴陽 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223787A |
| 著作权人 | キヤノン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【課題】共振器長或は導波路の等価屈折率が温度変化に対してほぼ一定になる効果と温度変化に対する発振しきい電流の変動を抑制する効果の少なくとも一方の効果を奏する半導体レーザーである。 【解決手段】共振器長或は導波路の等価屈折率が温度変化に対してほぼ一定になる効果と温度変化に対する発振しきい電流の変動を抑制する効果の少なくとも一方の為に、屈折率の温度係数が負の半導体層31が用いられている。レーザー光の存在する領域にこの半導体層31が配置されていれば両方の効果が期待でき、レーザー光の存在しない領域にこの半導体層が配置されていれば、発振しきい電流の変動を抑制する効果が期待できる。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79438]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | キヤノン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沼居 貴陽. 半導体レーザー. JP2000223787A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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