半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 内田 史朗 |
| 发表日期 | 2007-08-24 |
| 专利号 | JP4001956B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 寄生容量特に接合容量の低減化ををはかり、しかも信頼性が高く、製造が容易で、歩留りの向上をはかることができるようにする。 【解決手段】 基板1上に少なくとも第1導電型のクラッド層2と、活性層3と、第2導電型のクラッド層4とが形成されてなる半導体層に、その発光部となる部分を15μm〜150μm残してその両側に、活性層を横切ってイオン注入高抵抗領域21が形成された構成とする。 |
| 公开日期 | 2007-10-31 |
| 申请日期 | 1996-07-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79463]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 史朗. 半導体発光装置. JP4001956B2. 2007-08-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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