半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 張 保平; 山本 三郎 |
| 发表日期 | 2000-12-08 |
| 专利号 | JP2000340884A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窓層内部に及び窓層と活性領域との界面に欠陥の発生しない作製法によって、高出力状態で長時間動作させても高い信頼性を示す端面出射型半導体レーザ素子を提供すること。 【解決手段】 活性領域を含む半導体レーザ多層構造ウエハの一部分をストライプ状に除去することにより、該多層構造ウエハに開口部を形成する工程と、該開口部を形成した多層構造ウエハを真空装置中において分子線ビームで照射しながら熱処理し、該開口部内に該活性領域の清浄な端面を形成する工程と、該熱処理した多層構造ウエハを大気に曝さずに、続いて該真空装置中でレーザ光を吸収しない高抵抗材料を該開口部内で成長させて窓層を形成し、該活性領域の清浄な端面を埋め込む工程と、該ストライプ状の開口部に対して垂直方向に、電流注入用ストライプを作製する工程と、該ストライプ状の開口部内に、該成長させたレーザ光を吸収しない高抵抗材料からなるレーザ光の出射端面を形成する工程と、を含む半導体レーザの作製方法。 |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 申请日期 | 1999-05-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79467]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 張 保平,山本 三郎. 半導体レーザ素子の製造方法. JP2000340884A. 2000-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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