半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 松原 邦雄; 北村 祥司; 進藤 洋一 |
| 发表日期 | 1994-12-22 |
| 专利号 | JP1994350188A |
| 著作权人 | 富士電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】第3クラッド層の幅寸法の精度を上げ、発振開始しきい値電流を安定させる。 【構成】基板,第1クラッド層,活性層,第2クラッド層,第3クラッド層,第4クラッド層,コンタクト層の順に積層し、ストライプ状のメサ部を形成した第3クラッド層の両側面に、電流狭窄層を埋め込んだ構造の半導体レーザ素子であり、とくに第3クラッド層の厚さを、0.2〜0.5μmの範囲に小さくし、製造に当たって、従来コンタクト層も含めて5μm程度であったエッチング深さを浅くしたために、第3クラッド層を精度よく所望の幅寸法にすることができ、第3クラッド層の厚さを薄くしたことに対して、3回目の成長過程で第4クラッド層とコンタクト層を形成することにより、レーザ光の発振を安定させている。 |
| 公开日期 | 1994-12-22 |
| 申请日期 | 1993-06-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79468]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 邦雄,北村 祥司,進藤 洋一. 半導体レーザ素子. JP1994350188A. 1994-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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