半導体発光装置
文献类型:专利
作者 | 木下 優子; 日野 智公; 谷口 理; 吉田 浩; 奥山 浩之; 中野 一志 |
发表日期 | 1997-09-19 |
专利号 | JP1997246656A |
著作权人 | ソニー株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体発光装置 |
英文摘要 | 【課題】 半導体発光装置の信頼性の向上、寿命の向上をはかる。 【解決手段】 活性層7と、この活性層7を挟んで配置されるp型クラッド層9およびn型クラッド層5と、少なくともZnTeによる構成材料薄膜を含む複数種の層の積層による積層半導体部13を有するp側電極構造部12とが形成された半導体発光装置であって、その活性層と積層半導体部との距離xを従前に比し大に選定する。 |
公开日期 | 1997-09-19 |
申请日期 | 1996-03-04 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79478] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | ソニー株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 木下 優子,日野 智公,谷口 理,等. 半導体発光装置. JP1997246656A. 1997-09-19. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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